消息称三星下一代 1c DRAM HBM4 良率提升至 50%，加速部署光刻机抢占市场

10 月 17 日消息，据科技媒体 TweakTown 今天报道，三星下一代 1c DRAM 在 HBM4 上的良率已达到 50%，同时该公司还在扩充 High-NA EUV 光刻机产能，加速量产 HBM4、HBM4E。

据消息人士 Jukanlosreve 昨天在 X 平台的发文，三星已加速押注 DRAM 领域，从 ASML（注：阿斯麦）购入 5 台全新 High-NA EUV 光刻机，其中 2 台将部署在三星半导体代工事业部，其余设备则专供存储事业部。

TweakTown 对此认为，三星的这番举动暗示着将建立专属内存生产线，使得 HBM4 量产速度更快，同时提前部署 HBM4E 和下一代 HBM5。

一位半导体业界人士表示：“过去三星的代工和存储业务在韩国平泽园区共用 EUV 工艺，但随着最新变化，新增的五台光刻机将专供存储业务”。

作为参考，三星平泽园区的 DRAM 部门每月大约生产 30 万片晶圆，其产线几乎已经满载，不过根据另一名业内人士透露，如果北美的主要客户追加订单，那剩下三台光刻机有可能被送至美国德州泰勒晶圆厂。

对比之下，三星的竞争对手 SK 海力士仍处于领先地位，为英伟达 Blackwell 系列 GPU 供应 HBM3 / HBM3E 芯片，三星此举势必将扩大 DRAM 产能，让两家公司之间的竞争进一步升级。

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